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metallo ossido semiconduttore con accoppiamento complementare
(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
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Un tipo di tecnologia elettronica per la produzione di transistor e di
celle logiche su silicio che sfrutta lÆabbinamento fra tre strati di
materiale diverso: silicio alla base, ossido di silicio nello strato
isolante immediatamente superiore e metallo sullo strato più esterno dove
si trovano le connessioni elettriche verso gli altri componenti o verso
gli altri transistor contenuti nello stesso chip. Questa tecnologia ha il
vantaggio di assorbire pochissima corrente e perciò di poter essere
alimentata per periodi molto lunghi da una sorgente elettrica di piccola
capacità. La si usa in tutti gli orologi elettronici, nelle calcolatrici
tascabili, nei computer come memoria permanente aggiornabile e in molte
altre apparecchiature. Soffre di due svantaggi: è relativamente lenta e
viene facilmente danneggiata dalle scariche elettrostatiche anche di
piccola entità (comprese quelle prodotte dal corpo umano che accumula
carica attraverso lo sfregamento dei vestiti o delle scarpe sulla moquette
e poi la scarica sul chip CMOS che teniamo tra le dita). LÆaggettivo
"complementare" deriva dal fatto che, in questo genete di circuiti, i
transtitor MOS vengono collegati a coppie in un modo che entrambi
contribuiscono a mantenere stabile lo stato binario dellÆaltro (aperto o c
hiuso) con il minimo consumo di energia.
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